收藏本站
EMH1303
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS1
IDSS2
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--8V, VGS=0V
VDS=--12V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--12
--1
--10
±10
V
μ A
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--6V, ID=--1mA
VDS=--6V, ID=--3A
ID=--6A, VGS=--4.5V
--0.4
7.2
12
18
--1.2
23
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--6A, VGS=--2.5V
ID=--0.5A, VGS=--1.8V
VDS=--6V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--6V, VGS=--4.5V, ID=--7A
IS=--7A, VGS=0V
27
40
1100
350
265
11
165
100
105
12.0
1.9
2.9
--0.8
36
65
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
0V
VIN
VDD= --6V
--4.5V
VIN
D
ID= --3A
RL=2 Ω
VOUT
PW=10 μ s
D.C. 1%
G
EMH1303
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
EMH1303-TL-E
Package
EMH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free
No. A0661-2/7
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
EMH1307-TL-H MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8
EMH1405-TL-H MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
EMH2308-TL-E MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8
EMH2314-TL-H MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8
EMH2408-TL-H MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8
EMH2409-TL-H MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8
EMH2411R-TL-H MOSFET N-CH DUAL 30V 5A EMH8
EMH2412-TL-H MOSFET N-CH DUAL 24V 6A EMH8
相关代理商/技术参数
EMH1307 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
EMH1307_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications
EMH1307-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
EMH1401-TL-E 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6A EMH8
EMH1402 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device
EMH1402-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 30V 6A 0.028 dlgW Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 30V 6A EMH8 制造商:Sanyo 功能描述:0
EMH1405 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications
EMH1405_12 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications